Результаты поиска авторов

Влияние глубоких примесных уровней на некоторые свойства электронно-дырочных переходов в полупроводниках: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / Ташк. гос. ун-т им. В. И. Ленина. - Ташкент, 1962. - 17 с.

“...Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович...”

Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках / АН УзССР. Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева. - Ташкент : Фан, 1971. - 204 с.

“...Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович...”

Двойная инжекция в полупроводниках с глубокими примесями: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук / Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса. - Вильнюс, 1974. - 40 с.

“...Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович...”

Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями / Под ред. М. С. Саидова. - Ташкент : Фан, 1981. - 200 с.

“...Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович...”

Теория рассеяния атомов средних энергий поверхностью твердого тела / Э. С. Парилис, Н. Ю. Тураев, Ф. Ф. Умаров, С. Л. Нижняя. - Ташкент : Фан, 1987. - 209, [1] с.

“...Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович 340...”

Токи двойной инжекции в полупроводниках / Э. И. Адирович, П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман. - М. : Сов. радио, 1978. - 320 с.

“...Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович...”

Карбид кремния: Рост, свойства, применение B-SiC и a-SiC (6Н): [Сборник статей] / АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева. - Ташкент : Фан, 1977. - 95 с.

“...Карагеоргий-Алкалаев П. М. Павел Михайлович 340...”