Особенности технологии формирования и электрофизические свойства изолирующих слоев в микросхемах памяти с поликремниевым затвором: (по данным отечественной и зарубежной печати за 1970―1983 гг.) / [Г. В. Перов, М. А. Ульев]

Автор: Перов, Г. В.
Другие авторы/ответственные: Ульев, М. А.
Вид документа: Периодические издания
Опубликовано: Москва : ЦНИИ "Электроника", 1984
Язык: Русский
Серия: Обзоры по электронной технике Микроэлектроника ; 1984, вып. 4
Загрузка...