Применение методов ионной имплантации для создания фоточувствительных р-n переходов на антимониде индия: (по данным отечественной и зарубежной печати за 1970―1989 гг.) / Н. Н. Герасименко, В. И. Ободников, Г. С. Хрящев
| Автор: | Герасименко, Н. Н. |
|---|---|
| Другие авторы/ответственные: | Ободников, В. И., Хрящев, Г. С. |
| Вид документа: | Периодические издания |
| Опубликовано: | Москва : ЦНИИ "Электроника", 1990 |
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Обзоры по электронной технике
Микроэлектроника ; 1990, вып. 2 |
Загрузка...