Механизмы пробоя транзисторов на арсениде галлия: (по данным отечественной и зарубежной печати за 1980―1984 гг.) / А. М. Нечаев

Автор: Нечаев, А. М.
Другие авторы/ответственные: Синкевич, В. Ф.
Вид документа: Периодические издания
Опубликовано: Москва : ЦНИИ "Электроника", 1985
Язык: Русский
Серия: Обзоры по электронной технике Полупроводниковые приборы ; 1985, вып. 5
Загрузка...