Механизмы отказов и надежность транзисторов на арсениде галлия: (реферативно-аналитический обзор) / [А. М. Нечаев и др.]

Автор: Нечаев, А. М.
Вид документа: Периодические издания
Опубликовано: Москва : ЦНИИ "Электроника", 1981
Язык: Русский
Серия: Обзоры по электронной технике Полупроводниковые приборы ; 1981, вып. 2
Загрузка...