ЛПД из GaAs с барьером Шоттки / О. Ф. Шустова, В. П. Снегирев

Автор: Шустова, О. Ф.
Другие авторы/ответственные: Снегирев, В. П.
Вид документа: Периодические издания
Опубликовано: Москва : ЦНИИ "Электроника", 1974
Язык: Русский
Серия: Обзоры по электронной технике Электроника СВЧ ; 1974, вып. 5 (226)
Загрузка...